室谷  英彰

Murotani  Hideaki
学科

情報電子工学科

職名

准教授

学位

博士(工学)

校務

学生主事補

クラブ顧問

ソフトテニス部

リサーチマップURL

https://researchmap.jp/read0155259


授業科目
  • コンピュータ演習(1年)
  • コンピュータの基礎知識(1年)
  • 電気回路(2年)
  • 電子工学実験(3年)
  • フーリエ・ラプラス変換(4年)
  • 創造演習(4年)
  • 創造製作(5年)
  • 英語講読(5年)
  • 卒業研究(5年)
  • 半導体電子工学(専攻科2年)
教育上の能力に関する事項
教育方法の実践例
試験レベルの難化と授業評価アンケートの関連における一考察,論文集「高専教育」,第38号,pp. 102~105, (著者名: 光本真一,室谷英彰) 平成23年4月~ 平成27年3月

電気回路,電磁気学等の電気系科目において試験レベルの難化を学生に宣言した状態で行い,その授業に対する評価アンケートの結果から学生の授業に対する「理解」,「取組」,「興味」の変化について考察した。その結果,試験レベルの難化によって授業への「取組」と「興味」が向上することが分かった.

作成した教科書・教材
コンピュータ演習講義資料,徳山工業高等専門学校情報電子工学科,(作成者:杉村敦彦,室谷英彰) 平成28年10月~ 平成30年10月 (年度毎に改訂)

情報電子工学科1年生を対象としたコンピュータ演習の副教材として作成した.文章作成ソフト,表計算ソフト等の使用方法を解説している.

コンピュータの基礎知識講義資料,徳山工業高等専門学校情報電子工学科,(作成者:杉村敦彦,室谷英彰) 平成28年4月~ 平成30年4月 (年度毎に改訂)

情報電子工学科1年生を対象としたコンピュータの基礎知識の副教材として作成した.コンピュータに関する基礎知識と基本的なソフトウェアの使用方法を解説している.

電子工学実験テキスト,徳山工業高等専門学校情報電子工学科,(作成者:原田徳彦,池田信彦,小林明伸,杉村敦彦,室谷英彰,藤本竜也) 平成27年4月~ 平成30年4月 (年度毎に改訂)

情報電子工学科3年生を対象とした電子工学実験の指導書として作成した.電子工学の基礎事項に関する学生実験の実験方法を解説している

電気電子工学演習III講義資料,豊田工業高等専門学校電気・電子システム工学科,(作成者:室谷英彰) 平成26年4月

豊田高専電気・電子システム工学科5年生を対象とした電気電子工学演習IIIの講義資料として作成した.電気回路,電子回路,電磁気学に関する問題の解法について解説している.

電磁気学IIB講義資料,豊田工業高等専門学校電気・電子システム工学科,(作成者:室谷英彰) 平成25年4月~ 平成27年4月 (年度毎に改訂)

豊田高専電気・電子システム工学科4年生を対象とした電気磁気学IIBの副教材として作成した.電磁気学に関する問題の解法について解説している.

電気電子工学演習II講義資料,豊田工業高等専門学校電気・電子システム工学科,(作成者:室谷英彰) 平成23年4月~ 平成26年4月 (年度毎に改訂)

豊田高専電気・電子システム工学科4年生を対象とした電気電子工学演習IIの講義資料として作成した.電気回路,電磁気学に関する問題の解法について解説している.

電気基礎実験実験指導書,豊田工業高等専門学校電気・電子システム工学科(作成者名:杉藤哲正,大野亙,室谷英彰,光本真一,及川大) 平成23年4月~ 平成26年4月 (年度毎に改訂)

豊田高専電気・電子システム工学科2年生を対象とした電気基礎実験の指導書として作成した.電気電子工学の基礎事項に関する学生実験の実験方法を解説している.

学校の評価
 
実務経験 特記事項
該当なし
 
その他
サイエンスアカデミー2017 「作って学ぼうLEDの仕組み」 平成29年7月

小中学生を対象に簡単な実験と講義を通して,発光ダイオードの仕組みと使用方法について解説した.

第28回なるほど・ザ・サイエンス 夏休みジュニア科学教室 「新しい明かり~発光ダイオード(LED)の仕組みと様々な応用~」 平成28年7月

小中学生を対象に簡単な実験と講義を通して,発光ダイオードの仕組みと使用方法について解説した.

ひらめき☆ときめきサイエンス~ようこそ大学の研究室へ~KAKENHI とよた高専おもしろ科学教室 (実施代表者) 平成26年12月

小中学生を対象に簡単な実験と講義を通して,発光ダイオードの仕組みと使用方法について解説した.

豊田市ものづくり人材育成講座 製造技術者育成プログラム「電気・電子による制御基礎」 平成26年9月

豊田市の製造業関連企業の従業員を対象に講義と実験を通して電子回路の基礎について解説した.

豊田市ものづくり人材育成講座 製造技術者育成プログラム「電気・電子回路の基礎」 平成25年10月

豊田市の製造業関連企業の従業員を対象に講義と実験を通して電子回路の基礎について解説した.

ひらめき☆ときめきサイエンス~ようこそ大学の研究室へ~KAKENHI とよた高専おもしろ科学教室 (実施分担者) 平成25年1月

小中学生を対象に簡単な実験と講義を通して,電波について解説した.

豊田工業高等専門学校マルチメディア情報教育センター公開講座「Windows7とフリーソフトウェア、ネットワーク入門」 平成24年12月

一般市民を対象として演習と講義を通して,Microsoft Windows7とWindows7上で動作するフリーソフトウェアの使用方法について解説した.

豊田市ものづくり人材育成講座 製造技術者育成プログラム「メカトロニクスの基礎」 平成24年9月

豊田市の製造業関連企業の従業員を対象に講義と実験を通して電子回路の基礎について解説した.

豊田工業高等専門学校電気・電子システム工学科公開講座「センサつきのインテリロボットをつくろう」 平成24年8月

小中学生を対象にライントレースカーを教材として,電子回路やモータ-制御の基礎について解説した.

豊田市ものづくり人材育成講座 製造技術者育成プログラム「メカトロニクスの基礎」 平成23年11月

豊田市の製造業関連企業の従業員を対象に講義と実験を通して電子回路の基礎について解説した.

豊田工業高等専門学校電気・電子システム工学科公開講座「マイコンロボットの製作とロボットコンテスト」 平成23年7月

小中学生を対象に「LEGO Mindstorms」を教材として,プログラミングや制御の基礎について解説した.

豊田工業高等専門学校マルチメディア情報教育センター公開講座 「Windows7とフリーソフトウェア、ネットワーク入門」 平成23年7月

一般市民を対象として演習と講義を通して,Microsoft Windows7とWindows7上で動作するフリーソフトウェアの使用方法について解説した

職務上の能力に関する事項
資格・免許
該当なし
 
特許等
該当なし
 
実務経験 特記事項
該当なし
 
その他
該当なし
 
著作、学術論文等
著作
エネルギー管理士電気分野模擬問題集 電気書院 全471頁 共著 2016年 02月

室谷 英彰

ZnO Nanocrystals and Allied Materials Springer Verlag 全374頁 9788132211594 共著 2013年 09月

Chapter 9 Time and Spatially Resolved Luminescence Spectroscopy of ZnO Nanostructures M. S. R. Rao, T. Okada

学術論文
High internal quantum efficiency and optically pumped stimulated emission in AlGaN-based UV-C multiple quantum wells (査読付) Applied Physics Letters Applied Physics Letters 117巻 16号 pp.162106~162106 0003-6951 2020年 10月 19日

Hideaki Murotani, Ryohei Tanabe, Keisuke Hisanaga, Akira Hamada, Kanta Beppu, Noritoshi Maeda, M. Ajmal Khan, Masafumi Jo, Hideki Hirayama, Yoichi Yamada

Correlation between excitons recombination dynamics and internal quantum efficiency of AlGaN-based UV-A multiple quantum wells (査読付) Journal of Applied Physics Journal of Applied Physics 128巻 10号 pp.105704~105704 0021-8979 2020年 09月 14日

Hideaki Murotani, Hiroyuki Miyoshi, Ryohei Takeda, Hiroki Nakao, M. Ajmal Khan, Noritoshi Maeda, Masafumi Jo, Hideki Hirayama, Yoichi Yamada

Analysis of efficiency curves in near-UV, blue, and green-emitting InGaN-based multiple quantum wells using rate equations of exciton recombination (査読付) IOP Publishing Japanese Journal of Applied Physics Japanese Journal of Applied Physics 58巻 SC号 pp.SCCB02~SCCB02 0021-4922 2019年 06月 01日

Hideaki Murotani, Kazunori Shibuya, Ayumu Yoneda, Yuki Hashiguchi, Hiroyuki Miyoshi, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, Yoshiki Yano, Toshiya Tabuchi, Koh Matsumoto, Yoichi Yamada

Effects of saturation of nonradiative recombination centers on internal quantum efficiency in InGaN light-emitting diodes (査読付) Japan Society of Applied Physics Japanese Journal of Applied Physics Japanese Journal of Applied Physics 58巻 1号 pp.011003~011003 2019年 01月 01日

Hideaki Murotani, Yoichi Yamada

Temperature dependence of excitonic transitions in Al0.60Ga0.40N/Al0.70Ga0.30N multiple quantum wells from 4 to 750 K (査読付) American Institute of Physics Inc. Journal of Applied Physics Journal of Applied Physics 123巻 20号 pp.205705~ 1089-7550 2018年 05月 28日

The excitonic optical properties of an Al0.60Ga0.40N/Al0.70Ga0.30N multiple quantum well structure were studied by photoluminescence (PL) spectroscopy at various temperatures. An analysis of the temperature dependence of PL peak energy revealed the stronger localization of excitons than biexcitons, consistent with the trend predicted from the difference between the spatial extents of excitons and biexcitons. The PL linewidth of the excitons increased linearly with increasing temperature up to 300 K and then more rapidly above 300 K. This result indicated that the exciton-longitudinal optical phonon interaction became prominent as the broadening mechanism of the exciton linewidth above 300 K. The luminescence of both excitons and biexcitons exhibited low thermal quenching, with their intensities at 300 K remaining at 37% and 47%, respectively, of their intensities at 4 K. These observations reflected the high thermal stability of the excitons and biexcitons in this multiple quantum well structure. In addition, the ratio of the PL intensity of the exciton-biexciton scattering to the product of the exciton and biexciton luminescence intensities was independent of temperature up to 200 K and increased rapidly with increasing temperature above 250 K. The temperature-independent behavior of this ratio up to 200 K originated from the localization of excitons and biexcitons, and the rapid increase in this ratio with temperature above 250 K reflected an increase in the frequency of interactions between the excitons and biexcitons due to the gradual delocalization of the excitons and biexcitons with increasing temperature. Hideaki Murotani, Yuya Hayakawa, Kazuki Ikeda, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramtsu, Yoichi Yamada

Temperature Dependence of Stokes Shifts of Excitons and Biexcitons in Al0.61 Ga0.39 N Epitaxial Layer (査読付) Wiley physica status solidi (b) physica status solidi (b) 255巻 5号 pp.1700374~1700374 1521-3951 2018年 05月 24日

Excitonic optical properties of an Al0.61Ga0.39N epitaxial layer are studied by using photoluminescence (PL) and PL excitation (PLE) spectroscopy. The peak structures due to the biexciton two-photon and the exciton resonances are clearly observed in the PLE spectra of biexcitons up to 550 K. These observations enable the evaluation of the Stokes shifts of excitons and biexcitons as a function of temperature. The Stokes shifts of both excitons and biexcitons decrease with the increase in temperature up to 300 K, which originates from the gradual delocalization of excitons and biexcitons with the increasing temperature. At temperatures above 300 K, the Stokes shifts of both excitons and biexcitons are independent of the temperature. These observations suggest that the localization mechanism for excitons and biexcitons in AlGaN-based systems cannot be explained by only the simple alloy disorder model, but there is a particular mechanism of exciton and biexciton localization in addition to the inhomogeneous broadening due to the alloy disorder. Hideaki Murotani, Kazuki Ikeda, Takuto Tsurumaru, Ryota Fujiwara, Satoshi Kurai, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Yoichi Yamada

High-temperature photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscopy of Al0.60Ga0.40N/Al0.70Ga0.30N multiple quantum wells (査読付) Japan Society of Applied Physics Applied Physics Express Applied Physics Express 10巻 2号 pp.021002~021002 1882-0778 2017年 01月

Hideaki Murotani, Katsuto Nakamura, Tomonori Fukuno, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Yoichi Yamada

Transport Properties of Melt-Cast-Processed Bi-2212 Bulk Superconductor Bars (査読付) Institute of Electrical and Electronics Engineers ({IEEE}) IEEE Transactions on Applied Superconductivity IEEE Transactions on Applied Superconductivity 25巻 3号 pp.1~4 1051-8223 2015年 06月

Bulk materials of high-critical-temperature superconductors (HTSs) are promising for current leads and fault-current limiters because of negligibly small Joule heating under current transport and very low thermal conductivity. We consider that a Bi-2212 bulk superconductor prepared by the melt-casting process (MCP) is one of the best materials for these applications. In addition, MCP is well known to be a simple and economic process, and also served as a method for obtaining any sizes of HTS bulks consent to requirements for practical applications. In this paper, we present a study on the transport and quench properties of Bi-2212 bulk superconductors doped with K2CO3. First, the MCP samples doped with K2CO3 were analyzed by using an X-ray diffractometer and X-ray fluorescence spectrometry. In addition, the critical temperatures of the MCP samples doped with K2CO3 were observed. Then, we have investigated the relations between the critical current value and the doping quantity of K2CO3. The value of the direct-current critical current was determined at 77 K, and the self-fields derived from the electric field versus the transport current characteristics were obtained using a criterion of 1 mu V/cm. Finally, the alternating-current transport properties of the MCP sample were measured, and we have discussed the frequency dependence of the critical current with current distributions. Dai Oikawa, Yu Higashi, Hideaki Murotani, Toko Sugiura, Hiroya Andoh, Takehiko Tsukamoto

Excitation density dependence of radiative and nonradiative recombination lifetimes in InGaN/GaN multiple quantum wells (査読付) Wiley-Blackwell physica status solidi (b) physica status solidi (b) 252巻 5号 pp.940~945 0370-1972 2014年 12月

The optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) have been studied by means of photoluminescence (PL) and time-resolved photoluminescence (TRPL) spectroscopy. The radiative and nonradiative recombination lifetimes were evaluated as a function of the excitation energy density. The radiative recombination lifetime decreased and subsequently reached a nearly constant value with increasing excitation energy density, which was attributed to screening of internal electric fields by photoexcited carriers. On the other hand, the nonradiative recombination lifetime increased and subsequently decreased with increasing excitation energy density. The initial increase in the nonradiative recombination lifetime could be attributed to saturation of nonradiative recombination centers with photoexcited carriers. The nonradiative recombination lifetime was found to decrease to a considerably weaker extent than that expected for the Auger recombination process of free carriers. This indicated that the decrease in the internal quantum efficiency (IQE) at high carrier densities could not be explained only by the Auger recombination process of free carriers. (C) 2014 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim Hideaki Murotani, Yoichi Yamada, Yoshio Honda, Hiroshi Amano

Evaluation of self-heating effect in Bi-2212 intrinsic Josephson junctions stacks (査読付) Applied Superconductivity Conference 2014 Applied Superconductivity Conference 2014 2014年 08月

D. Oikawa, H. Murotani, T. Sugiura, H. Andoh, T. Tsukamoto

Recombination dynamics and internal quantum efficiency in InGaN nanowires (査読付) Wiley-Blackwell physica status solidi (c) physica status solidi (c) 11巻 3-4号 pp.652~655 1862-6351 2014年 01月

Recombination dynamics and internal quantum efficiency (IQE) of green luminescent InGaN nanowires with different crystalline qualities have been studied by means photoluminescence (PL) and time-resolved PL spectroscopy. Temperature-land excitation-power-density-dependent PL spectroscopy enabled to evaluate the IQE as a function of excitation power density. The shape of the efficiency curves at low temperature strongly depended on the magnitude of nonradiative recombination processes. This leads to the misestimation of the IQE in the lower quality nanowire. In addition, the PL decay curves were well described by a double exponential function both at 6 and 300 K. The PL decay time of the faster component was affected by nonradiative recombination processes even at low temperature. This indicated that the radiative recombination lifetime cannot be estimated from the PL decay time in the lower quality nanowire. (C) 2014 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim Hideaki Murotani, Hiroya Andoh, Takehiko Tsukamoto, Toko Sugiura, Yoichi Yamada, Takuya Tabata, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Hiroshi Amano

Effects of exciton localization on internal quantum efficiency of InGaN nanowires (査読付) {AIP} Publishing Journal of Applied Physics Journal of Applied Physics 114巻 15号 pp.153506~153506 0021-8979 2013年 10月

The optical properties of InGaN nanowires with different emission wavelengths of 485, 515, 555, and 580 nm have been studied by means of photoluminescence (PL) and time-resolved PL (TRPL) spectroscopy. The PL peak energy of the nanowires exhibited an anomalous shift to higher energy and then to lower energy with increasing temperature. Analysis of the temperature-dependent variations in the PL peak energy let us evaluate the localization energies of excitons, which increased with increasing indium composition. TRPL measurements also revealed that the PL decay time of the nanowires increased and then became constant with decreasing emission energy, which was typical of localized excitons and enabled us to evaluate the characteristic energies of localized states. The characteristic energy increased with increasing indium composition, indicating that the density of localized states broadened with increasing indium composition. In addition, a correlation was clearly observed between the internal quantum efficiency (IQE) and localization energy of the nanowire: the IQE increased with increasing localization energy. The increase in the IQE was attributed to the increase in the degree of exciton localization as the indium composition of the nanowire increased. Moreover, it was found that with increasing excitation power density, a reduction in the IQE occurred simultaneously with a PL blue shift. This indicated that the reduction in the IQE was associated with saturation of localized states. ? 2013 AIP Publishing LLC. Hideaki Murotani, Yoichi Yamada, Takuya Tabata, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi, Hiroshi Amano

Time and Spatially Resolved Luminescence Spectroscopy of ZnO Nanostructures (査読付) Springer Nature ZnO Nanocrystals and Allied Materials ZnO Nanocrystals and Allied Materials 180巻 pp.195~216 0933-033X 2013年 09月

The optical properties of undoped, P-doped, and Sb-doped ZnO nanostructures (NSs) have been studied by means of photoluminescence (PL), time-resolved PL, and spatially resolved cathodoluminescence (CL) spectroscopy. The temperature dependence of the PL spectra of the P-doped and Sb-doped ZnO NSs was analyzed, and the binding energies of the P-acceptor- and the Sb-acceptor-bound excitons were estimated to be 15 and 11 meV, respectively. This indicated that the Sb impurities formed a shallower acceptor level than the P impurities in ZnO. PL lines due to the radiative recombination of biexcitons and the inelastic scattering processes of excitons were clearly observed in the undoped ZnO NSs, which enabled us to evaluate the binding energies of the excitons and biexcitons as 60 and 15 meV, respectively. These values were identical to the values in bulk ZnO. The radiative and nonradiative recombination lifetimes were estimated from the temperature dependence of the PL lifetime and the time-integrated PL intensity. Although the radiative recombination lifetimes for the undoped and P-doped ZnO NSs were almost equal, the nonradiative recombination lifetime for the P-doped ZnO NSs was longer than that for the undoped ZnO NSs. This suggested that the P doping suppressed the thermal activation of the nonradiative recombination processes. CL images revealed that the intensity of the side surface was much stronger than that of the interior in the P-doped ZnO NSs. On the other hand, the CL intensity was distributed almost uniformly in the Sb-doped.? Springer India 2014. Hideaki Murotani, Yoichi Yamada, Daisuke Nakamura, Tatsuo Okada

Emission Wavelength Dependence of Internal Quantum Efficiency in InGaN Nanowires (査読付) {IOP} Publishing Japanese Journal of Applied Physics Japanese Journal of Applied Physics 52巻 8S号 pp.08JE10~ 0021-4922 2013年 08月

The internal quantum efficiency (IQE) of InGaN nanowires with different emission wavelength of 485, 515, 555, and 580 nm has been studied by means of photoluminescence (PL) spectroscopy. It was found from the analysis of IQE as a function of excitation power density that the IQE was unchanged at about 100% under weak excitation conditions at low temperature. This indicated that the effects of nonradiative recombination processes were negligibly small at low temperature. Moreover, the IQE increased from 5 to 12% with increasing emission wavelength from 485 to 580 nm. Since the clear correlation between the IQE and the PL blue shift due to band filling effects of localized states was observed, the increase in the IQE reflected the increase in the effect of exciton localization with increasing indium composition. (C) 2013 The Japan Society of Applied Physics Hideaki Murotani, Hiroya Andoh, Takehiko Tsukamoto, Toko Sugiura, Yoichi Yamada, Takuya Tabata, Yoshio Honda, Masatoshi Yamaguchi, Hiroshi Amano

Correlation between in-plane strain and optical polarization of Si-doped AlGaN epitaxial layers as a function of Al content and Si concentration (査読付) {AIP} Publishing Journal of Applied Physics Journal of Applied Physics 112巻 3号 pp.033512~033512 0021-8979 2012年 08月

We have investigated the relationship between in-plane strain and optical polarization in AlGaN epitaxial layers as a function of Al content and of Si concentration. Al content and in-plane strain were measured by reciprocal space mapping using a simple relationship from the tensor of elastic moduli. The change of valence band energy separation based on the measured in-plane strain was in good agreement with the change of polarization degree as a function of Al content. The dependence of polarization degree on Si concentration was also explained by the change of in-plane strain, and polarization switching occurred around the Al content and strain as calculated by the k . p approach with the cubic approximation. (C) 2012 American Institute of Physics. [http://dx.doi.org/10.1063/1.4743016] Satoshi Kurai, Kazuhide Shimomura, Hideaki Murotani, Yoichi Yamada, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu

Dependence of internal quantum efficiency on doping region and Si concentration in Al-rich AlGaN quantum wells (査読付) {AIP} Publishing Applied Physics Letters Applied Physics Letters 101巻 4号 pp.042110~042110 0003-6951 2012年 07月

The internal quantum efficiency (IQE) of Si-doped AlGaN quantum wells has been studied by means of photoluminescence spectroscopy. Analysis of the IQE as a function of doping region revealed that the IQE increased from 19% to 40% with doping of the well layers. This increase was attributed to an improvement in the interface quality between well and barrier layers as well as a reduction in point defect density. Moreover, the IQE increased to a maximum of 50% and then decreased with increasing Si concentration of the well layers. This indicated the existence of an optimum Si concentration for IQE improvement. (C) 2012 American Institute of Physics. [http://dx.doi.org/10.1063/1.4739431] Hideaki Murotani, Daiki Akase, Koji Anai, Yoichi Yamada, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu

Spatial Inhomogeneity of Aluminum Content in Air-Bridged Lateral Epitaxially Grown AlGaN Ternary Alloy Films Probed by Cross-Sectional Scanning Near-Field Optical Microscopy (査読付) Japan Society of Applied Physics Japanese Journal of Applied Physics Japanese Journal of Applied Physics 51巻 3号 pp.035604~035604 0021-4922 2012年 02月

We systematically studied spatial inhomogeneity of aluminum content in air-bridged lateral epitaxially grown (ABLEG) AlGaN ternary alloy films by high-resolution photoluminescence mapping probed with cross-sectional scanning near-field optical microscopy (SNOM). We observed the content changes along the vertical < 0001 > and the horizontal < 11 (2) over bar0 > growth directions in AlGaN films with four different mask widths. The spatial inhomogeneity was determined by considering the following factors: the different growth rates of the lateral and vertical directions, the aluminum and gallium adatom supplies from a gas that depend on mask width, and the aluminum and gallium adatom diffusions on the < 0001 > and < 11 (2) over bar0 > facets. (C) 2012 The Japan Society of Applied Physics Akihiko Ishibashi, Hideaki Murotani, Toshiya Yokogawa, Yoichi Yamada

Low temperature synthesis of Li and Cl added Bi-2212 superconductors (査読付) Elsevier {BV} Physics Procedia Physics Procedia 27巻 pp.148~151 1875-3892 2012年

Low temperature synthesis of Bi2Sr2CaCu2Oy (Bi-2212) bulk superconductors has been achieved by the addition of lithium (Li) and chlorine (Cl). The samples were prepared by a solid-state reaction method. The samples with nominal composition Bi2.12Sr1.90Ca1.02Cu1.96LixClxOy (0 <= x <= 0.3) were heated in air at temperatures ranged from 700 to 780 degrees C. The lithium perchlorate (LiClO4) addition (x >= 0.05) promotes the formation of the Bi-2212 phase in low temperature synthesis. The Bi-2212 sample (T-c=78K) was obtained for x=0.15 by heating even at 720 degrees C, which is about 100 degrees C lower than that of the non-doped 2212 phase. (C) 2012 Published by Elsevier B.V. Selection and/or peer-review under responsibility of ISS Program Committee Masaki Noro, Hiroya Andoh, Hideaki Murotani, Touko Sugiura, Takehiko Tsukamoto

Recombination dynamics of localized excitons in AlxGa1-xN (0.37$?ess$x$?ess$0.81) ternary alloys (査読付) Wiley-Blackwell physica status solidi (c) physica status solidi (c) 8巻 7-8号 pp.2133~2135 1862-6351 2011年 04月

Recombination dynamics of localized excitons in AlxGa1-xN ternary alloy epitaxial layers (0.37<x<0.81) has been studied by means of time-resolved photoluminescence (PL) spectroscopy. An emission energy dependence of the PL lifetime was analyzed to estimate the degree of localization (E-0) and the radiative recombination lifetime of localized excitons (t(rad)). The E-0 increased with increasing Al composition from x=0.37 to 0.61, and decreased with further increasing Al composition. The value of t(rad) increased slightly from 903 to 958 ps for x=0.37 to 0.61, and then the rapid decrease occurred at the Al compositions above 0.61 (t(rad)=484 ps for x=0.81). The rapid decrease was well explained by considering the increase in the oscillator strength of excitons with increasing Al composition in addition to the decrease in the effect of exciton localization. (C) 2011 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim Hideaki Murotani, Ryo Kittaka, Satoshi Kurai, Yoichi Yamada, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu

Huge binding energy of localized biexcitons in Al-rich AlxGa1-xN ternary alloys (査読付) {AIP} Publishing Applied Physics Letters Applied Physics Letters 98巻 8号 pp.081907~081907 0003-6951 2011年 02月

Excitonic optical properties of Al-rich AlxGa1-xN ternary alloy epitaxial layers have been studied by means of photoluminescence excitation spectroscopy. On the basis of the energy separation between exciton resonance and two-photon biexciton resonance, the binding energy of biexcitons was estimated to be 56 +/- 5 and 48 +/- 5 meV for the sample with x=0.81 and 0.89, respectively. The biexciton binding energy of 56 meV was approximately three times as large as the biexciton binding energy of 19 meV in AlN. The large enhancement of the biexciton binding energy resulted from the strong localization of biexcitons due to alloy disorder. (C) 2011 American Institute of Physics. [doi:10.1063/1.3559226] Ryo Kittaka, Hirotaka Muto, Hideaki Murotani, Yoichi Yamada, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu

Silicon concentration dependence of optical polarization in AlGaN epitaxial layers (査読付) {AIP} Publishing Applied Physics Letters Applied Physics Letters 98巻 2号 pp.021910~021910 0003-6951 2011年 01月

The optical polarization of Si-doped Al(x)Ga(1-x)N epitaxial layers (x=0.37-0.95) has been studied by means of photoluminescence (PL) spectroscopy. The predominant polarization component of the band-edge PL switched from E perpendicular to c to E parallel to c at an Al composition between 0.68 and 0.81. This critical Al composition was much higher than in previous reports for AlGaN epitaxial layers. In addition, the predominant polarization in Al(0.55)Ga(0.45)N epitaxial layers switched from E perpendicular to c to E parallel to c with increasing Si concentration. Therefore, the topmost valence band changed from the heavy-hole band to the crystal-field split-off-hole band with decreasing in-plane compressive strain induced by Si doping. (C) 2011 American Institute of Physics. [doi:10.1063/1.3543631] Hideaki Murotani, Yoichi Yamada, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu

Exciton localization in Al-rich AlGaN ternary alloy epitaxial layers (査読付) Wiley-Blackwell physica status solidi (c) physica status solidi (c) 7巻 7-8号 pp.1884~1886 1862-6351 2010年 05月

Exciton localization in Al-rich AlGaN ternary alloy epitaxial layers has been studied by means of temperature-dependent photoluminescence (PL) spectroscopy. Anomalous temperature dependence of the PL peak energy (red-blue shift) was observed, which enabled us to estimate the localization energy of excitons. The localization energy increased as the 1.2th power of the exciton linewidth. The value of exponent for Al-rich alloys was smaller than that for Ga-rich alloys. This indicated that the excitons in Al-rich alloys were strongly localized compared to that in Ga-rich alloys. In addition, the exponent value for Al-rich alloys increased with increasing excitation power density. This increase in the exponent suggested that the exciton population approached the extended states owing to the saturation of localized states by photo-generated excess excitons. (C) 2010 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim Hideaki Murotani, Yoichi Yamada, Tsunemasa Taguchi, Ryo Kato, Toshiya Yokogawa

Recombination dynamics of excitons in phosphorus-doped ZnO nanostructures (査読付) IEEE TENCON 2010: 2010 IEEE REGION 10 CONFERENCE TENCON 2010: 2010 IEEE REGION 10 CONFERENCE pp.1011~1014 2159-3442 2010年

The optical properties of an undoped and a P-doped ZnO nanostructures have been studied by means of photoluminescence (PL), time-resolved PL, and spatially-resolved cathodoluminescence (CL) spectroscopy. The luminescence bands due to the radiative recombination of biexcitons and the exciton-exciton scattering process were observed. The binding energy of excitons and biexcitons was estimated to be 60 and 15 meV, respectively. Radiative and nonradiative recombination lifetimes of free excitons were estimated from temperature dependence of the PL lifetime and the time-integrated PL intensity. Although the radiative recombination lifetime for each sample was almost equal, the nonradiative recombination lifetime for the P-doped sample was longer than that for the undoped sample. This result suggested that the thermal activation of nonradiative recombination process was suppressed by the P doping. CL images revealed that the intensity of the side surface was much stronger than that of the interior in the P-doped sample. This result indicated that the P impurities were distributed around the surface of the nanostructures. Hideaki Murotani, Daiki Akase, Yoichi Yamada, Takafumi Matsumoto, Daisuke Nakamura, Tatsuo Okada

Temperature dependence of excitonic transitions in a-plane AlN epitaxial layers (査読付) AMER INST PHYSICS JOURNAL OF APPLIED PHYSICS JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 105巻 8号 pp.083533~ 0021-8979 2009年 04月

The excitonic optical properties of a-plane AlN epitaxial layers have been studied by means of temperature-dependent photoluminescence (PL) and optical reflectance (OR) spectroscopy. An exciton resonance and free-exciton luminescence were clearly observed up to room temperature in the OR and PL measurements, respectively. Analysis of the low temperature OR spectrum enabled us to obtain a splitting energy of 7.3 meV between longitudinal and transverse-exciton resonances for AlN, which was approximately one order of magnitude larger than that for GaN. An emission from the upper branch of the excitonic polariton was also observed at temperatures above 100 K, reflecting thermal repopulation of excitonic polaritons from the lower to the upper branch. In addition, the temperature dependence of the transverse-exciton resonance could be well described using an empirical equation based on Bose-Einstein statistics, in which the Einstein characteristic temperature was estimated to be 455 K. Hideaki Murotani, Takahiro Kuronaka, Yoichi Yamada, Tsunemasa Taguchi, Narihito Okada, Hiroshi Amano

Discrete luminescence bands in AlGaN-based quantum wells (査読付) WILEY-V C H VERLAG GMBH PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2 PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2 6巻 S2号 pp.S767~S77 2009年

The excitation-power-density dependent photoluminescence (PL) spectra have been studied for AlGaN-based quantum wells (QWs) with a well-layer thickness of 2, 4, and 6 nm. With increasing excitation-power density, an additional luminescence line was observed at the higher energy side of an initial luminescence line for the QWs with the well-layer thickness of 4 and 6 nm. The additional line also shifted toward higher energy side with further increasing excitation-power density. It was found from a theoretical calculation of the transition energy under applied electric field that an energy difference between the additional and the initial lines agreed with an energy separation for a well-layer-thickness variation of 2 monolayer for each QW. Therefore, these observations indicated that in the QWs with the well-layer thickness of 4 and 6 nm, the screening of the internal electric field occurred effectively after the saturation of localized states caused by the interface disorder. (C) 2009 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim Hideaki Murotani, Yoichi Yamada, Tsunemasa Taguchi, Akihiko Ishibashi, Yasutoshi Kawaguchi, Toshiya Yokogawa

Temperature dependence of localized exciton transitions in AlGaN ternary alloy epitaxial layers (査読付) AMER INST PHYSICS JOURNAL OF APPLIED PHYSICS JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 104巻 5号 pp.053514~ 0021-8979 2008年 09月

The optical properties of Ga-rich Al(x)Ga(1-x)N (x=0.019, 0.038, 0.057, 0.077, and 0.092) ternary alloy epitaxial layers have been studied by means of temperature-dependent photoluminescence (PL) and time-resolved PL spectroscopy. The luminescence intensity of excitons in five epitaxial layers indicated a thermal quenching process with two activation energies. The two quenching activation energies were attributed to the delocalization of excitons and thermal dissociation of excitons. Anomalous temperature dependence of the PL peak energy was also observed in the epitaxial layers, which enabled the evaluation of the localization energy of the excitons. The localization energy increased as the 1.7th power of the PL linewidth, which reflected a broadening of the density of localized exciton states. In addition, the luminescence decay of the localized excitons for the five epitaxial layers became longer with decreasing emission energy. These observations suggest that the decay of excitons is caused not only by radiative recombination, but also by transfer to lower energy states. (C) 2008 American Institute of Physics. Hideaki Murotani, Yoichi Yamada, Tsunemasa Taguchi, Akihiko Ishibashi, Yasutoshi Kawaguchi, Toshiya Yokogawa

Photoluminescence from highly excited AlN epitaxial layers (査読付) AMER INST PHYSICS APPLIED PHYSICS LETTERS APPLIED PHYSICS LETTERS 92巻 13号 pp.131912~ 0003-6951 2008年 03月

Excitonic optical properties of AlN epitaxial layers have been studied by means of photoluminescence and optical reflectance spectroscopies. The binding energy of free excitons was estimated to be 57 meV on the basis of the energy separation between the n=1 ground and n=2 excited states. In addition, the luminescence line due to radiative recombination of biexcitons was observed under high density excitation. The energy separation between free-exciton luminescence and biexciton luminescence was 19 meV, which corresponded to the binding energy of biexcitons. Therefore, the ratio of the biexciton binding energy to the exciton binding energy was approximately 0.33. (C) 2008 American Institute of Physics. Yoichi Yamada, Kihyun Choi, Seungho Shin, Hideaki Murotani, Tsunemasa Taguchi, Narihito Okada, Hiroshi Amano

Recombination dynamics of localized excitons in AlGaN-based quantum wells (査読付) Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 5巻 6号 pp.2274~2276 1862-6351 2008年

The effect of internal electric field on exciton localization in AlGaN-based quantum wells (QWs) has been studied by means of time-resolved photoluminescence (PL) spectroscopy. The observed time-dependent PL was analyzed using rate equations, which enabled us to obtain the PL lifetime and the localization time of excitons for three QWs with different well-layer thickness. The localization time became longer with increasing well-layer thickness. This result indicated that a quantum confined Stark effect caused the reduction in transition probability of excitons from extended to localized states. In addition, the localization time decreased with increasing excitation density and the three QWs indicated almost the same localization time at higher excitation density. Since the alloy composition was the same for the three QWs, the degree of localization due to alloy disorder did not change so much. Therefore, the screening of the internal electric field resulted in the same localization time. ? 2008 Wiley-VCH Verlag GmbH &amp Co. KGaA. Hideaki Murotani, Takuya Saito, Nobuo Kato, Yoichi Yamada, Tsunemasa Taguchi

Recombination dynamics of localized excitons in AlGaN-based quantum wells (査読付) WILEY-V C H VERLAG GMBH PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 6 PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 6 5巻 6号 pp.2274~2276 161 2008年

The effect of internal electric field on exciton localization in AlGaN-based quantum wells (QWs) has been studied by means of time-resolved photoluminescence (PL) spectroscopy. The observed. time-dependent PL was analyzed using rate equations, which enabled us to obtain the PL lifetime and the localization time of excitons for three QWs with different well-layer thickness. The localization time became longer with increasing well-layer thickness. This result indicated that a, quantum confined Stark effect caused the reduction in transition probability of excitons from extended to localized-states, In addition, the localization time decreased with increasing excitation density and the three QWs indicated almost the, same localization time at higher excitation density, Since the alloy composition was the same for the three QWs, the degree of localization due to alloy disorder did not change so much. Therefore, the screening of the internal electric field resulted in the same localization time. (c) 2008 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim. Hideaki Murotani, Takuya Saito, Nobuo Kato, Yoichi Yamada, Tsunemasa Taguchi

Localization-induced inhomogeneous screening of internal electric fields in AlGaN-based quantum wells (査読付) AMER INST PHYSICS APPLIED PHYSICS LETTERS APPLIED PHYSICS LETTERS 91巻 23号 pp.231910~ 0003-6951 2007年 12月

The influence of both localization and internal electric field on the microscopic photoluminescence (PL) properties of AlGaN-based quantum wells (QWs) has been studied by means of scanning near-field optical microscopy (SNOM). SNOM-PL images of three QWs with different well-layer thicknesses were measured under an illumination-collection mode. A correlation was observed between the PL intensity and the PL peak wavelength: a shorter-PL wavelength indicates a stronger intensity for a wider QW. The correlation is caused by an inhomogeneous screening of the internal electric field. (c) 2007 American Institute of Physics. Hideaki Murotani, Takuya Saito, Nobuo Kato, Yoichi Yamada, Tsunemasa Taguchi

Population dynamics of localized biexcitons in AlxGa1-xN ternary alloys (査読付) AMER INST PHYSICS APPLIED PHYSICS LETTERS APPLIED PHYSICS LETTERS 91巻 19号 pp.191907~ 0003-6951 2007年 11月

Dynamical behavior of localized biexcitons in Ga-rich AlxGa1-xN ternary alloys has been studied by means of time-resolved luminescence spectroscopy. The time-dependent luminescence was analyzed using rate equations which were modified by considering the localization times of both the biexcitons and single excitons individually. The localization times of both biexcitons and single excitons became longer with increasing aluminum composition. On the other hand, the formation time of biexcitons from single excitons remained nearly unchanged. This observation indicated that the formation rate of biexcitons in the ternary alloys was independent of the localization depth of single excitons. Yoichi Yamada, Hideaki Murotani, Tsunemasa Taguchi, Akihiko Ishibashi, Yasutoshi Kawaguchi, Toshiya Yokogawa

その他
AlGaN系UV-A多重量子井戸構造における内部量子効率と励起子の輻射再結合ダイナミクスの励起強度依存性 第81応用物理学会春季学術講演会 口頭発表(一般) 2020年 09月

室谷英彰, 三好博之, 武田椋平, 中尾拓希, 倉井聡, M. Ajmal Khan, 前田哲利, 定昌史, 平山秀樹, 山田陽一

AlGaN系UV-C多重量子井戸構造における室温誘導放出と縦共振器モードの観測 第81応用物理学会春季学術講演会 口頭発表(一般) 2020年 09月

田邊凌平, 濱田昂, 別府寛太, 倉井聡, 室谷英彰, 前田哲利, 定昌史, 平山秀樹, 山田陽一

InGaN系量子井戸構造における励起子レート方程式モデルによる内部量子効率の励起密度依存性の解析 2020年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 口頭発表(一般) 2020年 08月

岡村悠司, 室谷英彰

UV-A帯AlGaN量子井戸構造における内部量子効率と輻射・非輻射再結合寿命ダイナミクス 2020年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 口頭発表(一般) 2020年 08月

中生拓希, 三好博之, 武田椋平, 室谷英彰, 倉井聡, M. Ajmal Khan, 前田哲利, 定昌史, 平山秀樹, 山田陽一

緑色InGaN量子井戸構造における発光効率曲線解析と輻射・非輻射再結合ダイナミクスの相関 2020年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 口頭発表(一般) 2020年 08月

中津留圭悟, 橋口勇樹, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, 只友一行, 矢野良樹, 小関修一, 松本功, 山田陽一

高温アニールした微傾斜サファイア基板上スパッタ成膜AlNテンプレートに成長されたAlGaN多重量子井戸の内部量子効率評価 2020年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 口頭発表(一般) 2020年 08月

押村遼太, 藤井厚志, 中谷文哉, 倉井聡, 室谷英彰, 上杉謙次郎, 三宅秀人, 山田陽一

AlGaN系多重量子井戸構造における励起子の輻射・非輻射再結合レートの励起強度依存性 第67回応用物理学会春季学術講演会 口頭発表(一般) 2020年 03月

三好博之, 武田椋平, 中生拓希, 倉井聡, 室谷英彰, M. Ajmal Khan, 前田哲利, 定昌史, 平山秀樹, 山田陽一

AlGaN系多重量子井戸構造における励起子レート方程式モデルによる効率Droop現象の解析 第67回応用物理学会春季学術講演会 口頭発表(一般) 2020年 03月

室谷英彰, 三好博之, 武田椋平, 中生拓希, 倉井聡, M. Ajmal Khan, 前田哲利, 定昌史, 平山秀樹, 山田陽一

アニール処理されたスパッタAlNテンプレート上AlGaN多重量子井戸における内部量子効率のc面サファイアm軸オフ角依存性 第67回応用物理学会春季学術講演会 口頭発表(一般) 2020年 03月

押村遼太, 赤松勇紀, 藤井厚志, 倉井聡, 室谷英彰, 上杉謙次郎, 三宅秀人, 山田陽一

Radiative and nonradiative recombination rates of excitons and their effects on internal quantum efficiency of AlGaN-based UV-B MQWs 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 口頭発表(一般) 2019年 11月

H. Murotani, H. Miyoshi, R. Takeda, M. A. Khan, N. Maeda, M. Jo, H. Hirayama, Y. Yamada

AlGaN 系多重量子井戸構造における励起子レート方程式モデルによる効率曲線の解析 第80回応用物理学会秋季学術講演会 口頭発表(一般) 2019年 09月

三好博之, 武田椋平, 中生拓希, 倉井聡, 室谷英彰, M. A. Khan, 前田哲利, 定昌史, 平山秀樹, 山田陽一

AlGaN多重量子井戸構造における内部量子効率の井戸幅および障壁層Al組成比依存性 第80回応用物理学会秋季学術講演会 口頭発表(一般) 2019年 09月

赤松勇紀, 藤井厚志, 倉井聡, 室谷英彰, 三宅秀人, 山田陽一

AlGaN系多重量子井戸構造における励起子レート方程式モデルによる効率曲線の解析 (2) 第80回応用物理学会秋季学術講演会 口頭発表(一般) 2019年 09月

室谷英彰, 三好博之, 武田椋平, 中生拓希, 倉井聡, M. A. Khan, 前田哲利, 定昌史, 平山秀樹, 山田陽一

AlGaN量子井戸構造における深紫外誘導放出の温度依存性 第80回応用物理学会秋季学術講演会 口頭発表(一般) 2019年 09月

田邉凌平, 久永桂典, 濱田晟, 別府寛太, 倉井聡, 室谷英彰, 前田哲利, 定昌文, 平山秀樹, 山田陽一

緑色InGaN系量子井戸構造における内部量子効率曲線のフィッティング解析 第80回応用物理学会秋季学術講演会 口頭発表(一般) 2019年 09月

橋口勇樹, 永見祐二, 中津留圭吾, 倉井聡, 岡田成仁, 只友一行, 室谷英彰, 矢野良樹, 田渕俊也, 松本功, 山田陽一

Optically pumped stimulated emission from AlGaN-based UV-C multiple quantum wells with high internal quantum efficiency of 16 % at 750 K 13th International Conference on Nitride Semiconductors 国際会議 口頭発表(一般) 2019年 07月

H. Murotani, K. Hisanaga, R. Tanabe, A. Hamada, N. Maeda, M. Jo, H. Hirayama, Y. Yamada

Role of exciton recombination processes on internal quantum efficiency in AlGaN-based UV-B multiple quantum wells 13th International Conference on Nitride Semiconductors 国際会議 口頭発表(一般) 2019年 07月

H. Murotani, H. Miyoshi, R. Takeda, M. A. Khan, N. Maeda, M. Jo, H. Hirayama, Y. Yamada

AlGaN系量子井戸構造における励起子発光線幅に対する混晶組成揺らぎおよび界面揺らぎの影響 第66回応用物理学会春季学術講演会 口頭発表(一般) 2019年 03月

野坂峻太, 室谷英彰, 山田陽一

Analysis of efficiency curves of near-UV, blue, and green emitting InGaN multiple quantum wells using rate equations of exciton recombination International Workshop on Nitride semiconductors 2018 国際会議 口頭発表(一般) 2018年 11月

H. Murotani, K. Shibuya, A. Yoneda, Y. Hashiguchi, H. Miyoshi, S. Kurai, N. Okada, K. Tadatomo, Y. Yano, T. Tabuchi, K. Matsumoto, Y. Yamada

AlGaN/AlN量子井戸構造の励起子発光線幅に対する組成および界面揺らぎの影響 2018年度電気・情報関連学会中国支部連合大会 口頭発表(一般) 2018年 10月

野坂峻太, 室谷英彰

緑色InGaN系量子井戸構造における励起子レート方程式モデルによる効率曲線の解析 第79回応用物理学会秋季学術講演会 口頭発表(一般) 2018年 09月

渋谷和憲, 室谷英彰, 米田歩, 橋口勇樹, 三好博之, 倉井聡, 岡田成仁, 只友一行, 矢野良樹, 田淵俊哉, 松本功, 山田陽一

AlGaN系量子井戸構造の発光特性に対する組成揺らぎおよび界面揺らぎの影響 2018年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 口頭発表(一般) 2018年 08月

野坂峻太, 室谷英彰

AlGaN系量子井戸構造の高温領域における発光特性 2018年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 口頭発表(一般) 2018年 08月

赤松勇紀, 池田和貴, 藤原涼太, 久永桂典, 田邊凌平, 室谷英彰, 倉井聡, 三宅秀人, 平松和政, 山田陽一

p型アニール処理がInGaN量子井戸構造の内部量子効率に与える影響 2018年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 口頭発表(一般) 2018年 08月

三好博之, 米田歩, 渋谷和憲, 橋口勇樹, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, 只友一行, 山田陽一

効率曲線のフィッティング解析によるInGaN量子井戸構造の内部量子効率評価 2018年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 口頭発表(一般) 2018年 08月

橋口勇樹, 渋谷和憲, 米田歩, 三好博之, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, 只友一行, 矢野良樹, 田淵俊哉, 松本功, 山田陽一

転位密度が異なるAlGaN系量子井戸構造における内部量子効率のSi添加量依存性 2018年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 口頭発表(一般) 2018年 08月

田邊凌平, 池田和貴, 久永桂典, 藤原涼太, 赤松勇紀, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, 只友一行, 三嶋晃, 矢野良樹, 田淵俊哉, 松本功, 山田陽一

InGaN系青色LED構造における効率曲線の励起子レート方程式モデルによる解析 第65回応用物理学会春季学術講演会 口頭発表(一般) 2018年 03月

渋谷和憲, 米田歩, 橋口勇樹, 三好博之, 倉井聡, 室谷英彰, 岡田成仁, 只友一行, 山田陽一

Temperature dependence of excitonic transitions in deep ultraviolet emitting AlGaN multiple quantum wells International Workshop on UV Materials and Devices 国際会議 ポスター発表 2017年 11月

H. Murotani, Y. Hayakawa, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Yamada

AlGaN系量子井戸構造における励起子系発光特性の温度依存性 第78回応用物理学会秋季学術講演会 口頭発表(一般) 2017年 09月

早川裕也, 室谷英彰, 三宅秀人, 平松和政, 山田陽一

InGaN薄膜からの励起子分子発光 第78回応用物理学会秋季学術講演会 口頭発表(一般) 2017年 09月

梅澤恭平, 小林英治, 倉井聡, 室谷英彰, 山田陽一

Effects of saturation of nonradiative recombination centers on internal quantum efficiency in InGaN-based light emitting diodes 12th International Conference on Nitride Semiconductors 国際会議 ポスター発表 2017年 07月

H. Murotani, Y. Yamada

Localization-enhanced biexciton binding in Ga-rich InGaN and AlGaN epitaxial layers 12th International Conference on Nitride Semiconductors 国際会議 ポスター発表 2017年 07月

K. Umezawa, E. Kobayashi, H. Murotani, S. Kurai, Y. Yamada

Temperature dependence of Stokes shifts of excitons and biexcitons in Al0.61Ga0.39N epitaxial layers 12th International Conference on Nitride Semiconductors 国際会議 ポスター発表 2017年 07月

H. Murotani, K. Ikeda, T. Tsurumaru, R. Fujiwara, S. Kurai, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Yamada

InGaN系LED構造における非輻射再結合中心充填過程の転位密度依存性 第64回応用物理学会春季学術講演会 口頭発表(一般) 2017年 03月

室谷英彰, 山田陽一

窒化物不均一系における励起子多体効果とその光機能性 第64回応用物理学会春季学術講演会 口頭発表(招待・特別) 2017年 03月

山田陽一, 倉井聡, 室谷英彰

Confinement- Enhanced Biexciton Binding Energy in AlGaN-Based Quantum Wells International Workshop in Nitride semiconductors 国際会議 口頭発表(一般) 2016年 10月

T. Izumi, S. Fukuchi, N. Imura, H. Murotani, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Yamada

AlGaN量子井戸構造における励起子分子の結合エネルギー―混晶障壁層の組成比依存性(2)― 第77回応用物理学会秋季学術講演会 口頭発表(一般) 2016年 09月

和泉平, 福地 駿平, 井村暢杜, 倉井聡, 室谷英彰, 三宅秀人, 平松和政, 山田陽一

パルス電流印加法を用いたメサ型固有接合の発熱評価 第62回応用物理学会春季学術講演会 口頭発表(一般) 2015年 03月

岩塚紳矢, 及川大, 室谷英彰, 杉浦藤虎, 塚本武彦

パルス電流印加法を用いたメサ型固有接合の発熱評価 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 62nd巻 pp.ROMBUNNO.11P-A2-5~ 2015年 02月 26日

岩塚紳矢, 及川大, 室谷英彰, 杉浦藤虎, 安藤浩哉, 塚本武彦

時系列データを用いたロボットの逐次的自己位置推定に関する研究 豊田工業高等専門学校 豊田工業高等専門学校研究紀要 豊田工業高等専門学校研究紀要 47巻 pp.3~12 0286-2603 2015年 01月 30日

杉浦 藤虎, 鈴木 悠暉, 及川 大, 室谷 英彰, 安藤 浩哉, 塚本 武彦

接触抵抗が固有ジョセフソン接合の自己発熱へ与える影響 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th巻 pp.ROMBUNNO.18A-PB6-6~ 2014年 09月 01日

及川大, 岩塚伸矢, 室谷英彰, 杉浦藤虎, 塚本武彦

InGaN量子井戸構造における非輻射再結合寿命と内部量子効率の励起エネルギー密度依存 第75回応用物理学会秋季学術講演会 口頭発表(一般) 2014年 09月

室谷英彰, 杉浦藤虎, 山田陽一, 本田善央, 天野浩

接触抵抗が固有ジョセフソン接合の自己発熱へ与える影響 第75回応用物理学会秋季学術講演会 口頭発表(一般) 2014年 09月

及川大, 岩塚伸矢, 室谷英彰, 杉浦藤虎, 塚本武彦

Evaluation of Self-heating Effect in Bi-2212 Intrinsic Josephson Junction Stacks Applied Superconductivity Conference 2014 国際会議 2014年 08月

D. Oikawa, H. Murotani, T. Sugiura, H. Andoh, T. Tsukamoto

Excitation Energy Density Dependence of Radiative and Nonradiative Recombination Lifetime in InGaN/GaN Multiple Quantum Wells International Workshop on Nitride Semiconductors 国際会議 ポスター発表 2014年 08月

H. Murotani, Y. Yamada, Y. Honda, H. Amano

Transport Properties of Melt-cast Processed Bi-2212 Bulk Superconductor Bars Applied Superconductivity Conference 2014 国際会議 2014年 08月

D. Oikawa, Y. Higashi, H. Murotani, H. Andoh, T. Sugiura, T. Tsukamoto

Bi-2212固有ジョセフソン接合における自己発熱効果の評価 第61回応用物理学会春季学術講演会 口頭発表(一般) 2014年 03月

及川大, 塚本武彦, 杉浦藤虎, 室谷英彰

InGaN/GaN多重量子井戸構造における輻射および非輻射再結合寿命の励起エネルギー密度依存性 第61回応用物理学会春季学術講演会 口頭発表(一般) 2014年 03月

室谷英彰, 杉浦藤虎, 山田陽一, 本田善央, 天野浩

Correlation between internal quantum efficiency and degree of localization in InGaN nanowires 10th International Conference on Nitride Semiconductors 国際会議 ポスター発表 2013年 08月

H. Murotani, H. Andoh, T. Tsukamoto, T. Sugiura, Y. Yamada, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

Correlation between internal quantum efficiency and degree of localization in InGaN nanowires (査読付) 10th Inter. Conf. Nitride Semiconductors 10th Inter. Conf. Nitride Semiconductors 2013年 08月

H. Murotani, H. Andoh, T. Tsukamoto, T. Sugiura, Y. Yamada, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

Recombination dynamics and internal quantum efficiency of InGaN nanowires 10th International Conference on Nitride Semiconductors 国際会議 口頭発表(一般) 2013年 08月

H. Murotani, H. Andoh, T. Tsukamoto, T. Sugiura, Y. Yamada, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

Recombination dynamics of localized excitons in InGaN nanowires 18th International Conference on Electron dynamics in Semiconductors, Optoelectronics, and Nanostructures 国際会議 ポスター発表 2013年 07月

H. Murotani, H. Andoh, T. Tsukamoto, T. Sugiura, Y. Yamada, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

Recombination dynamics of localized excitons in InGaN nanowires (査読付) 18th Inter. Conf. Electron dynamics in Semiconductors, Optoelectronics, and Nanostructures, TuP-6 18th Inter. Conf. Electron dynamics in Semiconductors, Optoelectronics, and Nanostructures, TuP-6 2013年 07月

H. Murotani, H. Andoh, T. Tsukamoto, T. Sugiura, Y. Yamada, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

InGaNナノワイヤにおけるPLスペクトルの温度依存性 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 60th巻 pp.ROMBUNNO.28P-PA1-13~ 2013年 03月 11日

室谷英彰, 安藤浩哉, 塚本武彦, 杉浦藤虎, 山田陽一, 田畑拓也, 本田善央, 山口雅史, 天野浩

InGaNナノワイヤにおけるPLスペクトルの温度依存性 第60回応用物理学会春季学術講演会 口頭発表(一般) 2013年 03月

室谷英彰, 安藤浩哉, 塚本武彦, 杉浦藤虎, 山田陽一, 田畑拓也, 本田善央, 山口雅史, 天野浩

Emission wavelength dependence of internal quantum efficiency in InGaN nanowires International Workshop on Nitride semiconductors 2012 国際会議 ポスター発表 2012年 10月

H. Murotani, H. Andoh, T. Tsukamoto, T. Sugiura, Y. Yamada, T. Tabata, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano

InGaNナノワイヤの内部量子効率に対する積層欠陥の影響 第73回応用物理学会学術講演会 口頭発表(一般) 2012年 09月

室谷英彰, 安藤浩哉, 塚本武彦, 杉浦藤虎, 山田陽一, 田畑拓也, 本田善央, 山口雅史, 天野浩

InGaNナノワイヤの内部量子効率に対する積層欠陥の影響 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 73rd巻 pp.ROMBUNNO.12A-PB4-16~ 2012年 08月 27日

室谷英彰, 安藤浩哉, 塚本武彦, 杉浦藤虎, 山田陽一, 田畑拓也, 本田善央, 山口雅史, 天野浩

自律移動型ロボットの自己位置推定に関する研究 豊田工業高等専門学校 豊田工業高等専門学校研究紀要 豊田工業高等専門学校研究紀要 44巻 pp.23~32 0286-2603 2012年 03月 21日

We have studied the self-estimation for the position of autonomous robot. It was carried out by typical template-matching method using a video camera. The detection of human as obstacles has been also studied. As the results, it was shown that the estimation for the position of robot and the recognition of existence of human would be able to do successfully and autonomously. 杉浦 藤虎, 佐藤 竜平, 関 雅人, 室谷 英彰, 安藤 浩哉, 塚本 武彦

InGaNナノワイヤにおける内部量子効率の発光波長依存性 第59回応用物理学関係連合講演会 口頭発表(一般) 2012年 03月

室谷英彰, 安藤浩哉, 塚本武彦, 杉浦藤虎, 山田陽一, 田畑拓也, 本田善央, 山口雅史, 天野浩

Sb添加ZnOナノ構造体の時間空間分解分光 第59回応用物理学関係連合講演会 口頭発表(一般) 2012年 03月

穴井恒二, 室谷英彰, 倉井聡, 山田陽一, 中村大輔, 岡田龍雄

InGaNナノワイヤにおける内部量子効率の発光波長依存性 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 59th巻 pp.ROMBUNNO.15A-F11-3~ 2012年 02月 29日

室谷英彰, 安藤浩哉, 塚本武彦, 杉浦藤虎, 山田陽一, 田畑拓也, 本田善央, 山口雅史, 天野浩

Time- and spatially resolved luminescence spectroscopy of ZnO nanostructures IITM - Japan joint symposium on ZnO nano-crystals and allied materials 国際会議 口頭発表(一般) 2012年 01月

H. Murotani, K. Anai, Y. Yamada, D. Nakamura, T. Okada

Low temperature synthesis of Li and Cl added Bi-2212 superconductors 24th International Symposium on Superconductivity 国際会議 ポスター発表 2011年 10月

M. Noro, H. Andoh, H. Murotani, T. Sugiura, T. Tsukamoto

Bi2212超電導体の低温合成におけるリチウム及び塩素の添加効果 電気関係学会東海支部連合大会講演論文集(CD-ROM) 電気関係学会東海支部連合大会講演論文集(CD-ROM) 2011巻 pp.ROMBUNNO.PO1-36~ 2011年 09月 20日

野呂優喜, 安藤浩哉, 室谷英彰, 杉浦藤虎, 塚本武彦

AlGaN系量子井戸構造の内部量子効率に対するSi添加効果(2) 第72回応用物理学会学術講演会 口頭発表(一般) 2011年 09月

赤瀬大貴, 室谷英彰, 穴井恒二, 山田陽一, 三宅秀人, 平松和政

Bi2212超伝導体の低温合成におけるリチウムおよび塩素の添加効果 平成23年度電気関係学会東海支部連合大会 口頭発表(一般) 2011年 09月

野呂優喜, 安藤浩哉, 室谷英彰, 杉浦藤虎, 塚本武彦

Two-photon resonance of biexcitons in mid-compositional AlxGa1-xN ternary alloys 9th International Conference on Nitride Semiconductors 国際会議 口頭発表(一般) 2011年 07月

R. Kittaka, H. Muto, H. Murotani, Y. Yamada, H. Miyake, K. Hiramatsu

Effects of Si doping on internal quantum efficiency of AlxGa1-xN/AlyGa1-yN quantum wells 5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 国際会議 ポスター発表 2011年 05月

H. Murotani, D. Akase, K. Anai, S. Kurai, Y. Yamada, H. Miyake, K. Hiramatsu

AlGaN系量子井戸構造の内部量子効率に対するSi添加効果 第58回応用物理学関係連合講演会 口頭発表(一般) 2011年 03月

赤瀬大貴, 室谷英彰, 穴井恒二, 倉井聡, 山田陽一, 三宅秀人, 平松和政

高Al組成AlGaN混晶薄膜の励起子分子結合エネルギー 第58回応用物理学関係連合講演会 口頭発表(一般) 2011年 03月

橘高亮, 武藤弘貴, 室谷英彰, 倉井聡, 山田陽一, 三宅秀人, 平松和政

Recombination dynamics of excitons in phosphorus-doped ZnO nanostructures IEEE Region 10 Conference 2010 国際会議 口頭発表(一般) 2010年 11月

H. Murotani, D. Akase, Y. Yamada, T. Matsumoto, D. Nakamura, T. Okada

AlGaN混晶薄膜における偏光特性のSi濃度依存性 第71回応用物理学会学術講演会 口頭発表(一般) 2010年 09月

室谷英彰, 橘高亮, 武藤弘貴, 倉井聡, 山田陽一, 三宅秀人

AlGaN混晶薄膜の励起スペクトル 第71回応用物理学会学術講演会 口頭発表(一般) 2010年 09月

橘高亮, 室谷英彰, 武藤弘貴, 倉井聡, 山田陽一, 三宅秀人, 平松和政

Biexciton luminescence from InGaN ternary alloy by scanning near-field optical microscopy International Workshop on Nitride semiconductors 2010 国際会議 口頭発表(一般) 2010年 09月

E. Kobayashi, K. Umezawa, H. Murotani, S. Kurai, Y. Yamada, H. Kudo, H. Okagawa

Optical polarization properties of Si-doped AlGaN ternary alloy epitaxial layers International Workshop on Nitride semiconductors 2010 国際会議 ポスター発表 2010年 09月

H. Murotani, R. Kittaka, S. Kurai, Y. Yamada, H. Miyake, K. Hiramatsu

Recombination dynamics of localized excitons in AlxGa1-xN (0.37<x<0.81) ternary alloys International Workshop on Nitride semiconductors 2010 国際会議 ポスター発表 2010年 09月

H. Murotani, R. Kittaka, S. Kurai, Y. Yamada, H. Miyake, K. Hiramatsu

AlGaN混晶薄膜の時間分解発光分光 2010年度応用物理学会中国四国支部学術講演会 口頭発表(一般) 2010年 07月

橘高亮, 室谷英彰, 倉井聡, 山田陽一, 三宅秀人, 平松和政

P添加ZnOナノ構造体の時空間分解分光 2010年度応用物理学会中国四国支部学術講演会 口頭発表(一般) 2010年 07月

赤瀬大貴, 室谷英彰, 倉井聡, 山田陽一, 松本隆文, 中村大輔, 岡田龍雄

Si添加AlGaN混晶薄膜におけるバンド端発光の偏光特性 2010年度応用物理学会中国四国支部学術講演会 口頭発表(一般) 2010年 07月

室谷英彰, 橘高亮, 武藤弘貴, 倉井聡, 山田陽一, 三宅秀人, 平松和政

AlGaN混晶薄膜の偏光特性と局在励起子発光ダイナミクス 第2回窒化物半導体結晶成長講演会 ポスター発表 2010年 05月

室谷英彰, 橘高亮, 山田陽一, 三宅秀人, 平松和政

AlGaN混晶薄膜における偏光特性のAl組成比依存性 第57回応用物理学関係連合講演会 口頭発表(一般) 2010年 03月

室谷英彰, 橘高亮, 山田陽一, 三宅秀人, 平松和政

AlGaN混晶薄膜における局在励起子の発光ダイナミクス 第57回応用物理学関係連合講演会 口頭発表(一般) 2010年 03月

橘高亮, 室谷英彰, 山田陽一, 三宅秀人, 平松和政

ZnOナノ構造体の空間分解CL測定 第57回応用物理学関係連合講演会 口頭発表(一般) 2010年 03月

室谷英彰, 赤瀬大貴, 山田陽一, 松本隆文, 中村大輔, 岡田龍雄

Exciton localization in Al-rich AlGaN ternary alloy epitaxial layers 8th International Conference on Nitride Semiconductors 国際会議 ポスター発表 2009年 09月

H. Murotani, Y. Yamada, T. Taguchi, R. Kato, T. Yokogawa

Spatially resolved photoluminescence from InGaN/GaN single quantum wells by scanning near-field optical microscopy 8th International Conference on Nitride Semiconductor 国際会議 口頭発表(一般) 2009年 09月

E. Kobayashi, H. Murotani, Y. Yamada, T. Taguchi, H. Kudo, H. Okagawa

高Al組成AlGaN混晶薄膜における励起子の局在化 第70回応用物理学会学術講演会 口頭発表(一般) 2009年 09月

室谷英彰, 山田陽一, 田口常正, 加藤亮, 横川俊哉

高Al組成AlGaN混晶薄膜における局在エネルギーと励起子線幅の関係 2009年度応用物理学会中国四国支部学術講演会 口頭発表(一般) 2009年 08月

室谷英彰, 山田陽一, 田口常正, 加藤亮, 横川俊哉

高品質AlN薄膜における励起子遷移の温度依存性 2009年度応用物理学会中国四国支部学術講演会 口頭発表(一般) 2009年 08月

梅澤恭平, 室谷英彰, 山田陽一, 田口常正, 岡田成仁, 天野浩

a面AlN薄膜における励起子光学遷移の温度依存性 第1回窒化物半導体結晶成長講演会 ポスター発表 2009年 05月

室谷英彰, 山田陽一, 田口常正, 岡田成仁, 天野浩

AlN薄膜における反射スペクトルの温度依存性 第56回応用物理学関係連合講演会 ポスター発表 2009年 04月

室谷英彰, 黒中貴裕, 山田陽一, 田口常正, 岡田成仁, 天野浩

Discrete luminescence bands in AlGaN-based quantum wells International Workshop on Nitride semiconductors 2008 国際会議 ポスター発表 2008年 10月

H. Murotani, Y. Yamada, T. Taguchi, A. Ishibashi, Y. Kawaguchi, T. Yokogawa

AlGaN混晶薄膜における局在エネルギーと励起子発光線幅の関係 第69回応用物理学会学術講演会 口頭発表(一般) 2008年 09月

室谷英彰, 山田陽一, 田口常正

AlGaN系量子井戸構造におけるPLスペクトルの励起パワー密度依存性 第69回応用物理学会学術講演会 口頭発表(一般) 2008年 09月

室谷英彰, 山田陽一, 田口常正

AlGaN系量子井戸構造からの2準位発光 2008年度応用物理学会中国四国支部学術講演会 口頭発表(一般) 2008年 08月

室谷英彰, 山田陽一, 田口常正

Free- and bound biexciton luminescence from AlN epitaxial layers 8th International Conference on Excitonic Processes in Condensed Matter 国際会議 ポスター発表 2008年 06月

Y. Yamada, K. Choi, S. Shin, H. Murotani, T. Taguchi, N. Okada, H. Amano

AlN薄膜からの励起子分子発光 第55回応用物理学関係連合講演会 国内会議 口頭発表(一般) 2008年 03月

室谷英彰, 崔琦鉉, 申丞鎬, 山田陽一, 田口常正, 岡田成仁, 天野浩

Temperature dependence of near-field photoluminescence distribution in AlGaN-based quantum wells First International Conference on White LEDs and Solid State Lighting 国際会議 ポスター発表 2007年 11月

H. Murotani, N. Kato, T. Saito, Y. Yamada, T. Taguchi, A. Ishibashi, Y. Kawaguchi, T. Yokogawa

AlGaN系量子井戸構造における近接場発光分布の温度依存性 第68回応用物理学会学術講演会 国内会議 口頭発表(一般) 2007年 09月

室谷英彰, 齋藤拓也, 嘉藤修央, 小林英治, 山田陽一, 田口常正

InGaN混晶薄膜の近接場光学顕微分光測定(1) 第68回応用物理学会学術講演会 国内会議 口頭発表(一般) 2007年 09月

嘉藤修央, 小林英治, 齋藤拓也, 室谷英彰, 山田陽一, 田口常正, 工藤広光, 岡川広明

InGaN混晶薄膜の近接場光学顕微分光測定(2) 第68回応用物理学会学術講演会 国内会議 口頭発表(一般) 2007年 09月

齋藤拓也, 小林英治, 嘉藤修央, 室谷英彰, 山田陽一, 田口常正, 工藤広光, 岡川広明

Internal quantum efficiency of AlxGa1-xN (0<x<1) on AlN template 7th International Conference on Nitride Semiconductors 国際会議 ポスター発表 2007年 09月

N. Okada, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Takagi, A. Bando, H. Murotani, Y. Yamada

Recombination dynamics of localized exciton in AlGaN-based quantum wells 7th International Conference on Nitride Semiconductors 国際会議 ポスター発表 2007年 09月

H. Murotani, T. Saito, N. Kato, Y. Yamada, T. Taguchi

Scanning near-field optical microscopy of AlGaN-based quantum wells 7th International Conference on Nitride Semiconductors 国際会議 ポスター発表 2007年 09月

H. Murotani, N. Kato, T. Saito, Y. Yamada, T. Taguchi

Stimulated Emission from Nonpolar and Polar AlN 7th International Conference on Nitride Semiconductors 国際会議 ポスター発表 2007年 09月

N. Okada, K. Nagamatsu, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, H. Maruyama, T. Takagi, A. Bando, H. Murotani, Y. Yamada

AlGaN系量子井戸構造の励起子発光ダイナミクス 第54回応用物理学関係連合講演会 国内会議 口頭発表(一般) 2007年 03月

室谷英彰, 嘉藤修央, 齋藤拓也, 山田陽一, 田口常正

AlGaN系量子井戸構造の近接場光学顕微分光測定 第54回応用物理学関係連合講演会 国内会議 口頭発表(一般) 2007年 03月

齋藤拓也, 嘉藤修央, 室谷英彰, 山田陽一, 田口常正

InGaN系量子井戸構造における内部量子効率の励起波長依存性 第54回応用物理学関係連合講演会 国内会議 口頭発表(一般) 2007年 03月

岩村和斗, 篠村直彦, 黒中貴裕, 室谷英彰, 山田陽一, 田口常正

Internal quantum efficiency of InGaN-based light-emitting diodes under selective excitation of InGaN active layers International Workshop on Nitride semiconductors 2006 国際会議 ポスター発表 2006年 10月

N. Shinomura, H. Murotani, M. Kuromoto, Y. Yamada, T. Taguchi, H. Kudo, H. Okagawa

近接場顕微分光法によるABLEG-AlGaN成長断面の組成分布 第67回応用物理学会学術講演会 国内会議 口頭発表(一般) 2006年 08月

室谷英彰, 齋藤拓也, 内田涼子, 山田陽一, 田口常正

ABLEG-AlGaN成長断面のSNOM観察 2006年度応用物理学会中国四国支部学術講演会 国内会議 口頭発表(一般) 2006年 07月

室谷英彰, 齋藤拓也, 内田涼子, 山田陽一, 田口常正

AlGaN混晶薄膜における励起子系輻射再結合ダイナミクス 2006年度応用物理学会中国四国支部学術講演会 国内会議 口頭発表(一般) 2006年 07月

齋藤拓也, 室谷英彰, 山田陽一, 田口常正

Population dynamics of biexcitons and single excitons in AlGaN ternary alloys 28th International Conference on the Physics of Semiconductors 国際会議 ポスター発表 2006年 07月

Y. Yamada, H. Murotani, K. Nakamura, T. Taguchi, A. Ishibashi, Y. Kawaguchi, T. Yokogawa

AlGaN混晶薄膜における局在励起子分子の輻射再結合ダイナミクス 第53回応用物理学関係連合講演会 国内会議 口頭発表(一般) 2006年 03月

室谷英彰, 齋藤拓也, 中村恒三, 山田陽一, 田口常正

AlGaN多重量子井戸構造の時間分解発光分光 2005年度応用物理学会中国四国支部例会 国内会議 口頭発表(一般) 2005年 07月

中村恒三, 室谷英彰, 山田陽一, 田口常正

AlGaN混晶薄膜における局在励起子分子の結合エネルギー 2005年度応用物理学会中国四国支部学術講演会 国内会議 口頭発表(一般) 2005年 07月

室谷英彰, 中村恒三, 山田陽一, 田口常正

AlGaN混晶薄膜における励起子分子の非局在化 第52回応用物理学関係連合講演会 国内会議 口頭発表(一般) 2005年 03月

中村恒三, 室谷英彰, 植木悠介, 山田陽一, 田口常正

Al0.61Ga0.39N混晶薄膜における励起子および励起子分子のストークスシフトの温度依存性 第77回応用物理学会秋季学術講演会 口頭発表(一般)

池田和貴, 室谷英彰, 鶴丸拓斗, 藤原涼太, 倉井聡, 三宅秀人, 平松和政, 山田陽一